DIMM SPD

SPD（Serial Presence Detect）是燒錄在 EEPROM 內的碼，裡面記載著記憶體模組的一些相關資訊，包含：記憶體顆粒的種類、容量、速度、所需電壓、製造廠商……等。過去電腦在開機時 BIOS 必須偵測記憶
體，但有了 SPD 時，系統就不必再去執行偵測的動作，而由 BIOS 直接去讀取 SPD 值，並取得記憶體的相關資料，並將所使用的記憶體模組的存取時序設定在最佳狀態，以確保系統能正常穩定的運作。

SPD 扮演的角色及內部重要參數：

Refresh：主要是指記憶體內部電容充電的動作。由於記憶體模組是由動態隨機存取記憶體晶片（DRAM）組合而成，其電容需要藉由不斷地充電以保持內部資料的完整性與正確性，這個動作即稱為 Refresh。一般說來，Refresh 有 2K 與 4K 的分類，而 2K 比 4K 有較快的 Refresh，相對的 2K 也比 4K 來得耗電。

RAS to CAS Delay：為了讀出或寫入某筆資料，記憶體控制晶片會先傳送列的位址，此時 RAS 訊號就會被啟動，然而在存取行的資料前還需要幾個執行週期，這段時間就是所謂的 RAS to CAS Delay 時間，RAS to CAS 的時間視技術而定，大約是 5 到 7 個週期，這也是延遲的基本因素。

CL（CAS Latency）：CAS 訊號需要再經過幾個 clock 之後才可以開始穩定的讀寫資料，這段時間就是所謂的 CAS Latency 時間，簡稱CL。CL=2.5 的記憶體需要 2.5 個 clock 後才能開始讀取命令與資料，而CL=3的記憶體則需要 3 個 clock 後才能開始讀取命令與資料。

依據理論來說 CL=2.5 與 CL=3 比起來，CL=2.5 的記憶體更具優勢，但還有其它的因素會影響這個數據，例如，新一代處理器的快取記憶體較有效率，這表示處理器比較少直接存取記憶體上的存取資料。再者，列的資料會比較常被存取，所以 RAS to CAS 的發生機率也大，讀取的時間也會變多，有時會發生同時讀取大量資料的情形，在這種情形下，相鄰的記憶體資料會一次被讀取出來，CAS 延遲時間只會發生一次。因此 CL 參數的大小實際上對於系統的整體效能並不會造成太大的差異。